首页 > 商品目录 > > > > BSS138TA代替型号比较

BSS138TA  与  BSS138N H6327  区别

型号 BSS138TA BSS138N H6327
唯样编号 A3-BSS138TA A-BSS138N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 50 V 3.5 Ohm Enhancement Mode FET-SOT-23 -use Diodes BSS138-7-F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@220mA,10V 3.5Ω@230mA,10V
上升时间 10ns 3ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 200mA 230mA
配置 Single Single
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 25ns 8.2ns
高度 1mm 1.10mm
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) 350mW 360mW
典型关闭延迟时间 15ns 6.7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
系列 BSS138 BSS138
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
典型接通延迟时间 10ns 2.3ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 50V 200mA 3.5Ω@220mA,10V ±20V 350mW N-Channel

暂无价格 0 当前型号
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 225mW(Ta) 3.5Ω@200mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
483,835 对比
BSS138 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
62,637 对比
BSS138 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_60V 230mA 3.5Ω@230mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规

暂无价格 3,000 对比
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 225mW(Ta) 3.5Ω@200mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售